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Data Sheet
DAP222M
 
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.93ns
Ta=25℃
VR=6V
IF=5mA
RL=50Ω
n=10pcs
1
10
100
0.1
1
TIME:t(ms)
10
100
t
Ifsm
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
IFSM-t CHARACTERISTICS
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
ELECTROSTATIC
DDISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 1020304050607080
Ta=150℃
Ta=125℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
0.1
1
10
0 5 10 15 20
f=1MHz
850
860
870
880
890
900
AVE:870.1mV
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Ta=25℃
VR=70V
n=10pcs
AVE:4.310nA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.81pF
Ta=25℃
VR=6V
f=1MHz
n=10pcs
0
5
10
15
20
AVE:2.50A
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
1
2
3
4
5
1 10 100
8.3ms
8.3ms
Ifsm
1cyc
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=10mA IF=100mA
300us
time
Mounted on epoxy board
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
AVE:1.47kV
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:2.98kV
2/2
2011.06 - Rev.B
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